BIWIN запускает производство оперативной памяти DDR5
2022 год принесет новое поколение памяти SDRAM DDR5, которое способно обеспечить значительный прирост производительности в сравнении с предыдущими стандартами.
Улучшения по сравнению со стандартом DDR4 являются самыми значительными за всю историю развития оперативной памяти. Переход от DDR4 к DDR5 представляет собой нечто большее, чем типичная смена поколения DDR SDRAM, поскольку память DDR5 делает большой скачок вперед с обновлённой архитектурой для существенного увеличения пропускной способности ОЗУ. В то время как предыдущие поколения оперативной памяти были сосредоточены на снижении энергопотребления (что стимулировалось мобильными устройствами и центрами обработки данных), основной целью DDR5 является удовлетворение возросших потребностей в пропускной способности подсистемы памяти.
Экспертное моделирование памяти DDR5 на системном уровне демонстрирует увеличение производительности эффективной пропускной способности приблизительно в 1.36 раза по сравнению с DDR4, при равнозначной скорости передачи данных в 3200 MT/s (мегатранзакций в секунду). При более высокой скорости передачи данных, DDR5-4800, производительность увеличивается примерно в 1.87 раз, практически удваивая пропускную способность DDR4-3200.
Модуль BIWIN DDR5 U-DIMM, созданный с использованием новейших микросхем 1znm 16Gb DDR5 от Micron, достигает уровня 4800 mbps (мегабит в секунду), что значительно превышает максимально возможную частоту памяти DDR4. На ранней стадии разработки DDR5, по мере того как производители ПК будут осваивать совместимость компонентов, BIWIN Storage Technology предложит своим клиентам комплекты ОЗУ объемом 16 ГБ и 32 ГБ.
Помимо повышения производительности, BIWIN DDR5 UDIMM обладают высокой надежностью, будут широко доступны и удобны в использовании.
Механизм коррекции ошибок One-die ECC
Опираясь на опыт коррекции данных в промышленных и серверных системах управления, а также в корпоративных приложениях, механизм коррекции ошибок в ОЗУ, One-die ECC, теперь станет основой и для обычных пользовательских систем. Данный механизм может работать независимо, уменьшая нагрузку на контроллер памяти и обеспечивая комплексную защиту во время передачи данных.
WR баланс считываемых данных
Данная функция устраняет сигнальные помехи и при этом обеспечивает более высокую производительность при чтении данных из ОЗУ.
PMIC – управление питанием
Микросхема управления питанием PMIC усиливает сигнал, обеспечивает высокую эффективность в управлении питанием, производит регулировку пульсаций, синхронизирует напряжение и всё это при значительно сниженном напряжении питания ОЗУ — 1.1В. Положительными эффектами использования отдельной микросхемы питания модулей DDR5 являются уменьшение нагрева памяти и увеличение общей энергоэффективности.
Data CRC – алгоритм проверки целостности данных
Оперативная память BIWIN DDR5 поддерживает алгоритмы проверки целостности данных (CRC) при записи и чтении, обеспечивая таким образом высокоскоростную, высокоточную и недорогую коррекцию данных.
BIWIN DDR5, молниеносные вычисления
BIWIN проявляет раннюю инициативу по выпуску памяти стандарта DDR5, но в 2022 году последуют и другие инновации, поскольку DDR5 постепенно станет стандартом в компонентной системе ПК.
В ближайшем будущем BIWIN планирует выпустить SODIMM DDR5 и оперативную память DDR5 на базе микросхем памяти Samsung. Являясь поставщиком чипов хранения данных с полным спектром услуг, компания BIWIN будет предлагать память DDR5 не только для ПК премиум-класса, но и для других сфер деятельности, включая компьютеры для киберспорта, центры обработки данных, искусственный интеллект и AIoT приложения.
